Томские ученые работают над созданием нитрид-галлиевых транзисторов для энергоэффективной техники

Реализация положений федерального плана развития в 2014 – 2020 гг. ключевых направлений НТК Российской Федерации включает разработку инновационных транзисторов на базе нитрида галлия, которой занимаются ученые Томского университета в сотрудничестве со специалистами АО «НПФ «Микран». Сфера использования новшества – энергоэффективные источники вторичного питания. Итоговой целью реализации данного исследовательского проекта должны стать инструкции по внедрению передовой технологии в массовое производство, которое будет осуществляться на площадках «Микран».

Выпуск транзисторов новой генерации даст возможность перенаправить векторы отечественного рынка в сторону опережающих импортные технологии решений. На данный момент в РФ используется приблизительно 90% импортных кремниевых полупроводниковых преобразователей. Ежегодные расходы на их закупку за рубежом составляют от 8 до 10 миллиардов рублей. В то же время, ряд отечественных предприятий, занимающихся выпуском бортовых комплексов управления для авиакосмической отрасли, а также телекоммуникационной аппаратуры, уже сейчас готовы использовать в производстве передовых транзисторы. Несомненно, подобным образом конкурентоспособность продукции этих предприятий на всемирном рынке возрастет.

Силовыми транзисторами на базе нитрида галлия планируется укомплектовывать робототехнические системы, которые функционируют в особых условиях, примером – в Арктике либо в космосе. Еще более широко их можно будет применять для комплектации энергоэффективной техники и промышленной электроники. Тестовые образцы инновационных транзисторов по своим техническим параметрам во многом превосходят кремниевые аналоги. По результатам пробного использования, их эффективность в электронных устройствах на 20% выше, масса и габариты – существенно меньше.

Источник